Ссылка на описание
https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-evo-nvme-ssd-2tb-mz-v9e2t0b-am/
Основные характеристики
Серия продукции
|
990 EVO
|
Форм-фактор накопителя
|
M.2 2280
|
Номинальный объем, ГБ
|
2048
|
Максимальная скорость чтения, МБ/с
|
5000
|
Максимальная скорость записи, МБ/с
|
4200
|
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS
|
700
|
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS
|
800
|
Тип памяти
|
V-NAND TLC
|
Модель
|
MZ-V9E2T0B/AM
|
Тип
|
Внутренний твердотельный накопитель
|
Назначение
|
для ноутбуков/компьютеров
|
Интерфейс
|
PCI-E
|
Поддержка NVMe
|
Да
|
Версия NVMe
|
2.0
|
Интерфейсы
Конструктивные особенности
Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ
|
1200
|
Прочие характеристики
Энергопотребление при работе, max, Вт
|
5.5
|
Высота, мм
|
22
|
Особенности
|
PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2, Class 0 (AES 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
|
Тип комплектации
|
RTL
|
Комплект поставки
|
Твердотельный накопитель, документация
|