Артикул:
1495578
Характеристики
Свойство ADPAR_PROPERTIES
—
| Модель | MZ-V8V1T0BW |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Интерфейс | PCIe 3.0 x4 |
| Контроллер NAND | Samsung Pablo Controller |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 480000 |
| Максимальная скорость чтения | 3500 |
| Объем накопителя | 1024 |
| Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 500000 |
| Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 480000 |
| Бренд | SAMSUNG |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V8V1T0BW |
| Категория Применения | 1TB |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Поддержка NVMe | ДА |
| Ресурс TBW | 600 |
| Разъем | M.2 |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Толщина | 2.38 |
| EANCode | 8806090572210 |
| Максимальная скорость записи | 3000 |
| Мощность в режиме ожидания | 0.045 |
| Потребляемая мощность | 5.3 |
| Серия | 980 |
| Тип памяти NAND | 3D TLC |
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
Интерфейсы
| Тип интерфейса | PCI Express |
| Версия PCI-E | PCIe 3.0 x4 w/NVMe |
Базовые характеристики
| Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Номинальный объем | 1000 |
| Объем после форматирования | 953 |
| Внешняя скорость передачи данных, до | 3840 |
| Максимальная скорость чтения | 3500 |
| Максимальная скорость записи | 3000 |
| Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ) | 500 |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ) | 480 |
| Тип памяти | 3D NAND TLC |
| Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
| Позиционирование использования | Desktop |
Конструктивные особенности
| Среднее время наработки на отказ (MTBF) | 1500 |
| Суммарное число записываемых Байт (TBF) | 600 |
| Ударостойкость при работе | 1500 |
| Ударостойкость при хранении | 1500 |
Прочие характеристики
| Энергопотребление при работе | 5.3 |
| Ширина | 100 |
| Высота | 20 |
| Глубина | 140 |
| Тип комплектации | RTL |
| Ссылка на описание | https://www.samsung.com/ru/memory-storage/nvme-ssd/980-1tb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v1t0bw/ |
Основные характеристики
| Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Номинальный объем, ГБ | 1000 |
| Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с | 3840 |
| Максимальная скорость чтения, МБ/с | 3500 |
| Максимальная скорость записи, МБ/с | 3000 |
| Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS | 500 |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS | 480 |
| Тип памяти | 3D NAND TLC |
| Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
| Позиционирование использования | Desktop |
| Модель | 980 |
| Тип | Внутренний твердотельный накопитель |
| Назначение | для ноутбуков/компьютеров |
| Интерфейс | PCI-E |
| Поддержка NVMe | Да |
Интерфейсы
| Тип интерфейса | PCI Express |
| Версия PCI-E | PCIe 3.0 x4 w/NVMe |
Конструктивные особенности
| Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. | 1500 |
| Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ | 600 |
| Ударостойкость при работе, G | 1500 |
| Ударостойкость при хранении, G | 1500 |
Прочие характеристики
| Энергопотребление при работе, max, Вт | 5.3 |
| Ширина, мм | 100 |
| Высота, мм | 20 |
| Глубина, мм | 140 |
| Тип комплектации | RTL |
| Ссылка на описание | https://www.samsung.com/ru/memory-storage/nvme-ssd/980-1tb-nvme-pcie-gen-3-mz-v8v1t0bw/ |
| Комплект поставки | Накопитель, документация |
| Ударостойкость | 1500G/0.5мс |
Галерея
1/3
—
