Артикул:
133194
Под заказ
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Характеристики
Свойство ADPAR_PROPERTIES
—
Ссылка на описание
https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie-4-0-nvme-ssd-2tb-mz-v9p2t0b-am/
Интерфейсы
| Тип интерфейса | PCI Express |
| Версия PCI-E | PCIe 4.0 x4 w/NVMe |
Базовые характеристики
| Серия продукции | 990 PRO |
| Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Номинальный объем | 2000 |
| Объем буфера | 2048 |
| Максимальная скорость чтения | 7450 |
| Максимальная скорость записи | 6900 |
| Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ) | 1400 |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ) | 1550 |
| Тип памяти | V-NAND 3-bit MLC |
| Контроллер | Samsung |
| Тип буферной памяти | DDR4 |
| Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
| Позиционирование использования | Desktop |
Конструктивные особенности
| Среднее время наработки на отказ (MTBF) | 1500 |
| Суммарное число записываемых Байт (TBF) | 1200 |
| Ударостойкость при хранении | 1500 |
Прочие характеристики
| Энергопотребление при работе | 5.5 |
| Ширина | 22 |
| Высота | 2.3 |
| Глубина | 80 |
| Особенности | шифрование AES 256-bit |
| Тип комплектации | RTL |
| Комплект поставки | Твердотельный накопитель, документация |
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
Ссылка на описание
https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie-4-0-nvme-ssd-2tb-mz-v9p2t0b-am/
Ссылка на описание
https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/990-pro-pcie-4-0-nvme-ssd-2tb-mz-v9p2t0b-am/
Интерфейсы
| Тип интерфейса | PCI Express |
| Версия PCI-E | PCIe 4.0 x4 w/NVMe |
Базовые характеристики
| Серия продукции | 990 PRO |
| Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) | Да |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Номинальный объем | 2000 |
| Объем буфера | 2048 |
| Максимальная скорость чтения | 7450 |
| Максимальная скорость записи | 6900 |
| Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ) | 1400 |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ) | 1550 |
| Тип памяти | V-NAND 3-bit MLC |
| Контроллер | Samsung |
| Тип буферной памяти | DDR4 |
| Вид устройства | Внутренний твердотельный накопитель |
| Позиционирование использования | Desktop |
Конструктивные особенности
| Среднее время наработки на отказ (MTBF) | 1500 |
| Суммарное число записываемых Байт (TBF) | 1200 |
| Ударостойкость при хранении | 1500 |
Прочие характеристики
| Энергопотребление при работе | 5.5 |
| Ширина | 22 |
| Высота | 2.3 |
| Глубина | 80 |
| Особенности | шифрование AES 256-bit |
| Тип комплектации | RTL |
| Комплект поставки | Твердотельный накопитель, документация |
Основные характеристики
| Серия продукции | 990 PRO |
| Форм-фактор накопителя | M.2 2280 |
| Номинальный объем, ГБ | 2000 |
| Максимальная скорость чтения, МБ/с | 7450 |
| Максимальная скорость записи, МБ/с | 6900 |
| Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS | 1400 |
| Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS | 1550 |
| Тип памяти | V-NAND 3-bit MLC |
| Контроллер | Samsung |
| Назначение | для ноутбуков/компьютеров |
| Интерфейс | PCI-E |
| Поддержка NVMe | Да |
Интерфейсы
| Версия PCI-E | PCIe 4.0 x4 |
Конструктивные особенности
| Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. | 1500 |
| Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ | 1200 |
Прочие характеристики
| Энергопотребление при работе, max, Вт | 5.5 |
| Высота, мм | 2.3 |
| Глубина, мм | 80 |
| Особенности | шифрование AES 256-bit |
| Тип комплектации | RTL |
| Комплект поставки | Твердотельный накопитель, документация |
| Ударостойкость | 1500G/0.5мс |
Галерея
1/1
—
