Артикул:
MZ-V9E2T0BW
Под заказ
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
Характеристики
Свойство ADPAR_PROPERTIES
—
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
| Модель | 990 EVO |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Объем накопителя | 2048 |
| Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 700000 |
| Бренд | SAMSUNG |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V9E2T0BW |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Поддержка NVMe | ДА |
| Ресурс TBW | 1200 |
| Разъем | M.2 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.14x0.1x0.02 |
| Вес упаковки (ед) | 0.13 |
| Объем упаковки (ед) | 0.00028 |
| Вес устройства | 9 |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Ключ M.2 разъема | M |
| Поддержка TRIM | ДА |
| Для ПК/ноутбука | ДА |
| Назначение | для ПК/ноутбука |
| Структура памяти NAND | 3D |
| Длина товара | 80 |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
| Максимальная скорость записи | 4200 |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 800000 |
| Максимальная скорость чтения | 5000 |
| Мощность в режиме ожидания | 0.06 |
| Потребляемая мощность | 5.5 |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Особенности | Samsung V-NAND TLC |
| Толщина товара | 2.38 |
| Ширина товара | 22 |
Галерея
1/5
—
