Артикул:
2078475
Характеристики
Свойство ADPAR_PROPERTIES
—
| Тип памяти | TLC |
| MTBF | 1500000 ч |
| Интерфейс твердотельного накопителя | PCI-E |
| Исполнение | Внутреннее |
| Размер твердотельного накопителя, Гб | 2000 |
| Ресурс TBW (TB) | 1200 |
| Скорость записи/Скорость чтения Мб/с | 6300/7250 |
| Тип | SSD |
| Форм-фактор твердотельного накопителя | M.2 |
| Цвет | Черный |
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
| Модель | 990 EVO Plus |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Объем накопителя | 2048 |
| Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 1000000 |
| Бренд | SAMSUNG |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V9S2T0BW |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Поддержка NVMe | ДА |
| Ресурс TBW | 1200 |
| Разъем | M.2 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.143x0.097x0.02 |
| Вес упаковки (ед) | 0.13 |
| Объем упаковки (ед) | 0.00027742 |
| Вес устройства | 9 |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Ключ M.2 разъема | M |
| Поддержка TRIM | ДА |
| Назначение | для ПК/ноутбука |
| Длина товара | 80.15 |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
| Максимальная скорость записи | 6300 |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 1350000 |
| Максимальная скорость чтения | 7250 |
| Мощность в режиме ожидания | 0.05 |
| Потребляемая мощность | 4.6 |
| Тип памяти NAND | MLC |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Особенности | Samsung V-NAND TLC |
| Толщина товара | 2.38 |
| Ширина товара | 22.15 |
Галерея
1/5
—
